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用于3”,4”,5”,6” 英寸硅片或GaAs 晶片 |
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单片,多步工艺控制 |
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闭环工艺控制 |
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工艺压力控制 |
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RF 功率: 0-1000w |
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| • | 工艺流程多步控制 | |
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工艺精度:0.5μm |
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二氧化硅刻蚀 |
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氮化硅刻蚀 |
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多晶硅刻蚀 |
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背面刻蚀 |
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光刻胶清理 |
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去除光刻胶 |
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E-MAIL:info_beijing@allwin21.com.cn 地址:中国·北京·石景山 电话:010-68865250 传真:010-68869822 |
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